Избрана слика од серијата единечна цевка од 905nmAPD

905nmAPD серија со една цевка

Модел: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P

Краток опис:

Уредот е силиконска лавина фотодиода, спектралниот одговор се движи од видлива светлина до блиска инфрацрвена боја, а максималната бранова должина на одговор е 905 nm.

добиј понуда Преземи

Технички параметар

КАРАКТЕРИСТИКИ

ПРИМЕНА

Ознаки на производи

Фотоелектрични карактеристики (＠Ta＝22±3℃)
Модел		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	Низа
Пакет форма		ТО-46	ТО-46	ТО-46	LCC3	LCC3	пластична амбалажа	пластична амбалажа	ПХБ
Дијаметар на фотосензитивна површина (мм)		0,23	0,50	0,80	0,23	0,50	0,23	0,50	прилагодени
Опсег на спектрален одговор (nm)		400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100	400-1100
Врвна бранова должина на одговор (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
Одговорност λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
Темна струја M=100(nA)	Типично	0.2	0,4	0,8	0.2	0,4	0.2	0,4	Според фотосензитивност
Темна струја M=100(nA)	Максимум	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	Една страна
Време на одговор λ=905nm R1=50Ω(ns)		0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	0,6	Според фотосензитивната површина
Коефициент на температура на работен напон T=-40℃~85℃(V/℃)		0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9	0,9
Вкупен капацитет M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	Според фотосензитивната површина
пробивен напон IR=10μA(V)	Минимум	130	130	130	130	130	130	130	160
пробивен напон IR=10μA(V)	Максимум	220	220	220	220	220	220	220	200

Претходно: 800nmAPD серија на една цевка

Следно: 1064nmAPD серија со една цевка

Структура на чип на предниот авион

Одговор со голема брзина

Висока добивка

Низок капацитет на спој

Низок шум

Големината на низата и фотосензитивната површина може да се прилагодат

Ласерски опсег

Лидар

Ласерско предупредување