800nmAPD серија на една цевка
| Фотоелектрични карактеристики (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| Модел | GD5210Y-1-2-T046 | GD5210Y-1-5-T046 | GD5210Y-1-2-LCC3 | GD5210Y-1-5 -LCC3 | |
| Пакет форма | ТО-46 | ТО-46 | LCC3 | LCC3 | |
| Дијаметар на фотосензитивна површина (мм) | 0,23 | 0,50 | 0,23 | 0,50 | |
| Опсег на спектрален одговор (nm) | 400-1100 | 400-1100 | 400-1100 | 400-1100 | |
| Врвна бранова должина на одговор (nm) | 800 | 800 | 800 | 800 | |
| λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W) | 55 | 55 | 55 | 55 | |
| Темна струја | Типично | 0,05 | 0,10 | 0,05 | 0,10 |
| M=100 (nA) | Максимум | 0.2 | 0,4 | 0.2 | 0,4 |
| Време на одговор λ=800nm R1=50Ω(ns) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| Коефициент на температура на работен напон T=-40℃~85℃(V/℃) | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | |
| Вкупен капацитет M=100 f=1MHz(pF) | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 3.0 | |
| Пробивен напон IR=10μA(V) | Минимум | 80 | 80 | 80 | 80 |
| Максимум | 160 | 160 | 160 | 160 | |
Структура на чип на предниот авион
Одговор со голема брзина
Висока добивка
Низок капацитет на спој
Низок шум
Ласерски опсег
Лидар
Ласерско предупредување
