1064nm Si PIN фотодиода

Модел: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

Краток опис:

Тоа е фотодиодата Si PIN која работи под обратна пристрасност и обезбедува висока чувствителност која се движи од УВ до NIR.Врвната бранова должина на одговорот е 980 nm.Одговорност: 0,3A/W на 1064 nm.

добиј понуда Преземи

Технички параметар

Ознаки на производи

Карактеристики

Осветлена структура од предната страна
Ниска темна струја
Висок одзив
Висока сигурност

Апликации

Комуникација со оптички влакна, сензори и опсег
Оптичко откривање од UV до NIR
Брзо откривање на оптички импулси
Контролни системи за индустријата

Фотоелектричен параметар (@Ta=25℃)

Ставка #	Категорија на пакети	Дијаметар на фотосензитивна површина (мм)	Опсег на спектрален одговор (nm)	Врвна бранова должина на одговор (nm)	Одговорност (A/W) λ=1064nm	Растечко време λ=1064nm V_R= 40 V R_L=50Ω(ns)	Темна струја V_R= 40 V (nA)	Капацитет на спој V_R= 40 V f=1MHz (pF)	Пробивен напон (V)
GT102Ф0.2	Коаксијален тип II,5501,TO-46 Тип на приклучок	Ф0.2	4-1100	980	0.3	10	0,5	0,5	100
GT102Ф0.5		Ф0,5				10	1.0	0,8
GT102Ф1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102Ф2	ТО-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102Ф4	ТО-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	ТО-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	ТО-20	Ф10.0				50	20	70